1、周益春教授团队通过介观相场模拟，揭示了Hf0.5Zr0.5O2薄膜中铁电畴翻转的动力学机制，尤其是无尺度的独立翻转特性和尖锐的畴壁，这些都源自于隔离带对相邻畴的弱相互作用。他们通过构建的相场模型，揭示了T-O相变的一阶性，以及室温下HZO薄膜的b畴和c畴转变机制。
去当教师。周益春是第二届国家级教学名师，博士生导师，1963年3月生。享受政府特殊津贴专家，国家杰出青年科学基金获得者，国家百千万工程人才计划入选者。西安电子科技大学华山学者杰出教授。主要从材料和力学交叉的角度从事铁电薄膜及其存储器、航空发动机热障涂层的研究工作。
在信息技术的舞台上，存储器如同基石，我国市场面临着外资的强有力竞争。然而，发展新型、非易失性存储器，尤其是铁电存储器，如氧化铪，已经成为国际科技竞赛的焦点。
1、然而，发展新型、非易失性存储器，尤其是铁电存储器，如氧化铪，已经成为国际科技竞赛的焦点。西安电子科技大学周益春教授团队在这个关键领域取得了突破性的进展，他们聚焦于5d电子材料的铁电性质，不仅提出了创新的器件设计理论，更在实践中实现了革命性的突破。
2、周益春教授团队通过介观相场模拟，揭示了Hf0.5Zr0.5O2薄膜中铁电畴翻转的动力学机制，尤其是无尺度的独立翻转特性和尖锐的畴壁，这些都源自于隔离带对相邻畴的弱相互作用。他们通过构建的相场模型，揭示了T-O相变的一阶性，以及室温下HZO薄膜的b畴和c畴转变机制。
